成膜原理 | 阴极电弧法 | 电浆化学气相沈积 | 非平衡磁控溅镀 |
ARC | Plasma CVD | UBMS | |
成膜原料 | 固体碳 | C2H2 (气体) | 固体碳 |
成膜温度 | ~400 | ~200 | ~250 |
膜组成 | 可能无氢 | 含氢 | 可能无氢 |
摩擦系数 | 0.2~0.5 | 0.1~0.2 | 0.1~0.2 |
硬度 | 2000~8000 | 1500~6000 | 1000~2000 |
表面粗度 | 尚可(Ra~10um) | 佳(Ra~0.02um) | 可(Ra~0.1um) |
附着力 | 佳 | 佳 | 弱 |
绝缘性 | 佳 | 可 | Me-DLC为导电 |