2011-11-22

二氧化矽抛光液应用参数

二氧化矽抛光液应用参数

二氧化矽抛光液介绍:

BW二氧化矽抛光液是以高纯矽粉为原料，在催化剂作用下，通过热水解的方法生产。产品具有细微性可控丶纯度高丶抛光速率高的优势，广泛用於纳米级的化学机械抛光。

二氧化矽抛光液应用参数

二氧化矽抛光液典型型号及技术参数

硷性
pH: 9.8±0.5		 SOQ-2 SOQ-4 SOQ-6 SOQ-8 SOQ-10 SOQ-12
酸性
pH: 2.8±0.5		 ASOQ-2 ASOQ-4 ASOQ-6 ASOQ-8 ASOQ-10 ASOQ-12
细微性(nm) 10~30 30~50 50~70 70~90 90~110 110~130
外观 半透明或乳白色液体
密度 (g/ml) 1. 15±0.05
浓度 (SiO2 (wt)%) 15-30%

SEM 照片

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TEM 照片

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粒度分布图

二氧化矽抛光液应用参数

典型应用-矽晶片抛光

抛光参数
Polishing Pressure 3-9 psi
Platen Velocity 50-120 rpm
Head Velocity 50-120 rpm
Process Temperature 30-60°C
Removal Rate 200 nm-5000 nm/min

典型应用-矽晶片抛光

The RR increases with pH

二氧化矽抛光液应用参数
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  • The removal rate : 1.42um/min at 3psi condition
  • Pretty similar results on the Si surface with < 1nm Rms
  • the metal ions (Cu2+ <50 ppb)

典型应用-砷化镓晶片抛光

TXRF data of Grish Acidic CMP Slurry on GaAs Wafer
  X Y Si-
Ka		 P-
Ka		 S-
Ka		 Cl-
Ka		 K-
Ka		 Ca-
Ka		 Ti-
Ka		 Cr-
Ka		 Mn-
Ka 		Fe-
Ka		 Ni-
Ka		 Cu-
Ka
  mm mm *E10atoms/cm2
Before
Cleaned 		0 0 29314.18 264.55 1705.06 511.83 0 2.2 0 0 0.08 0 6.15 203.03
30 -30 26327.67 290.81 1862.88 477.8 0 2.66 0 0 0 0.24 6.64 202.88
-30 30 24038.63 158.1 1851.26 473.69 0.97 3.87 0 0.01 0.06 0.02 0 206.76
After
Cleaned 		0 0 85.64 87.92 631.9 248.35 0.2 0.52 0 0 0 1.28 1.31 15
30 -30 102.44 142.21 660.72 233.78 0 0.54 0 0 0 0.74 0 16.82
-30 30 76.53 83.47 674.92 254.97 0 0.61 0 0 0 0.8 0 20.14

典型应用-晶片氧化层抛光

Wafers 200mm, 10k Thermo-OX 二氧化矽抛光液应用参数
Film Measurement Nanotech, 3mm edge exclusion
Conditioner Disc 3M
Conditioning ex-situ
Pad break-in 9 mins
Pad break-in IC1010
Polish Time, s 60
Membrane Pressure (psi) 1; 2; 3; 4
Head speed, rpm 113
Platen speed 109
Slurry MOP60
Slurry Flow Rate, ml 300
Slurry Property Colloidal silica, 10% solid
二氧化矽抛光液应用参数
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Tunable selectivity 1 psi 2 psi 3 psi 4 psi
OX RR 2406 2808 3260 3852
SiN RR 59 113 185 257
Selectivity，OX/SiN 40.9 24.8 17.6 15.0
  • Colloidal particle stable for lower defectives
  • The selectivity of Ox/SiN is tunable with additive

典型应用-晶片铜层抛光

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High removal rate

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pH particle particle size selectivity, 2psi
Cu/Ta Cu/TaN
3.0-6.0 Colloidal silica ~30nm >500 >340
RemovalÅ Step height , Å
100/100 um 50/50 um 10/10 um
0 5000 5000 5000
1458 3287 3315 3294
3588 1402 1421 1400
5114 145 107 48

Good planarization efficiency

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典型应用-蓝宝石晶片抛光

抛光机 渖阳科晶UNIPOL-1502
抛光转速 80RPM
抛光压力 7.5公斤/2英寸
抛光液流量 80ml/min
抛光液配比 （原液：纯水）=1：3
抛光方式 300ml抛光液回圈抛光3H
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